消費(fèi)電子MOS 80N10 DFN5X6-8L 100V/80A N溝道MOS管
消費(fèi)電子MOS 80N10的應(yīng)用領(lǐng)域：
消費(fèi)電子電源
馬達(dá)控制
同步整流
同步整流應(yīng)用程序
消費(fèi)電子MOS 80N10的極限值：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：100V
柵極-源極電壓 VGS：±20V
漏極電流-連續(xù) ID：80A
漏極電流-脈沖 IDM：296A
單脈沖雪崩能量 EAS：220mJ
雪崩電流 IAS：30A
總耗散功率 PD：78W
存儲(chǔ)溫度 TSTG：-55~150℃
工作溫度 TJ：-55~150℃
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA：25℃/W
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC：1℃/W
消費(fèi)電子MOS 80N10的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 100 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=20A | 6.8 | 8.5 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=15A | 8 | 12 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1.2 | 1.6 | 2.5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 36 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 7.8 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 8.8 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 1959 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 731 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 3 | |||
| td(on) | 開啟延遲時(shí)間 | 10.7 | ns | ||
| tr | 開啟上升時(shí)間 | 21 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 31 | |||
| tf | 開啟下降時(shí)間 | 10.7 |
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