100VNMOS 170N10 TO-263 低內(nèi)阻場效應(yīng)管 應(yīng)用于消費(fèi)電子
100VNMOS 170N10的產(chǎn)品特點(diǎn)：
低內(nèi)阻
極低的開關(guān)損耗
封裝：TO-263
100VNMOS 170N10的用途：
消費(fèi)電子電源
同步整流
同步整流應(yīng)用程序
100VNMOS 170N10的極限值：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 100 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù) | 170 | A |
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 540 | |
| PD | 總耗散功率 | 375 | W |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 1000 | mJ |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 62.5 | ℃/W |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 0.33 | |
| TSTG | 存儲(chǔ)溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 |
100VNMOS 170N10的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 100 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=20A | 2.5 | 3 | mΩ | |
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 2 | 4 | V | |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 158.8 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 38.4 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 41.6 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 10952.7 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 1402.2 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 33.3 | |||
| td(on) | 開啟延遲時(shí)間 | 40.7 | ns | ||
| tr | 開啟上升時(shí)間 | 31.4 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 75.4 | |||
| tf | 開啟下降時(shí)間 | 16.2 |
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