100VPMOS管 30P10 PDFN5X6-8L 電源管理用MOS 大芯片MOSFET
100VPMOS管 30P10的特點(diǎn)：
VDS=-100V
ID=-30A
RDS(ON)＜45mΩ@VGS=-10V
封裝：PDFN5X6-8L
100VPMOS管 30P10的用途：
電池保護(hù)
負(fù)載開始
UPS不間斷電源
100VPMOS管 30P10的極限值：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：-100V
柵極-源極電壓 VGS：±20V
漏極電流-連續(xù) ID：-30A
漏極電流-脈沖 IDM：-120A
單脈沖雪崩能量 EAS：306mJ
總耗散功率 PD：73W
存儲(chǔ)溫度 TSTG：-55~150℃
工作結(jié)溫 TJ：-55~150℃
100VPMOS管 30P10的電特性：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TJ=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | -100 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-10V,ID=-30A | 36 | 45 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-4.5V,ID=-15A | 38 | 50 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | -1 | -1.5 | -3 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 69 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 14 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 19 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 6590 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 225 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 175 | |||
| td(on) | 開啟延遲時(shí)間 | 22 | ns | ||
| tr | 開啟上升時(shí)間 | 26 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 74 | |||
| tf | 開啟下降時(shí)間 | 66 |
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