100V/5A 電池保護(hù)MOS管 5N10 SOT-23 低壓NMOSFET 場(chǎng)效應(yīng)管生產(chǎn)
電池保護(hù)MOS管 5N10的產(chǎn)品特點(diǎn)：
VDS=100V
ID=5A
RDS(ON)＜125mΩ@VGS=10V
封裝：SOT-23
電池保護(hù)MOS管 5N10的應(yīng)用領(lǐng)域：
電池保護(hù)
負(fù)載開(kāi)關(guān)
UPS不間斷電源
電池保護(hù)MOS管 5N10的極限值：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TC=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 100 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù) TA=25℃ | 5 | A |
| 漏極電流-連續(xù) TA=70℃ | 3.2 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 16 | |
| PD | 總耗散功率 TA=25℃ | 3.1 | W |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 100 | ℃/W |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 40 | |
| TSTG | 存儲(chǔ)溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 |
電池保護(hù)MOS管 5N10的電特性：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TJ=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 100 | 108 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=4A | 105 | 125 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=2A | 120 | 145 | |||
| VGS(th) | 柵極開(kāi)啟電壓 | 1.2 | 1.7 | 2.5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 3.57 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 0.76 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 0.71 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 182 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 30 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 3.6 | |||
| td(on) | 開(kāi)啟延遲時(shí)間 | 11 | ns | ||
| tr | 開(kāi)啟上升時(shí)間 | 6 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 30 | |||
| tf | 開(kāi)啟下降時(shí)間 | 4 |
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