30V低壓MOS 雙N溝道MOS管 3H03 SOT-23-6L 電源場(chǎng)效應(yīng)管
30V低壓MOS 3H03的產(chǎn)品特點(diǎn)：
VDS=30V
ID=3.6A
RDS(ON)＜60mΩ@VGS=10V
封裝：SOT-23-6L
30V低壓MOS 3H03的引腳圖：
30V低壓MOS 3H03的應(yīng)用領(lǐng)域：
電池保護(hù)
負(fù)載開(kāi)關(guān)
UPS 不間斷電源
30V低壓MOS 3H03的極限值：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TA=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：30V
柵極-源極電壓 VGS：±20V
漏極電流-連續(xù)(TA=25℃) ID：3.6A
漏極電流-連續(xù)(TA=70℃) ID：2.7A
漏極電流-脈沖 IDM：18.4A
總耗散功率(TA=25℃) PD：1W
存儲(chǔ)溫度 TSTG：-55~+150℃
工作結(jié)溫 TJ：-55~+150℃
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA：125℃/W
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC：80℃/W
30V低壓MOS 3H03的電特性：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TJ=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 30 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=3.1A | 35 | 60 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=2A | 52 | 75 | |||
| VGS(th) | 柵極開(kāi)啟電壓 | 1 | 1.5 | 2.5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| gfs | 正向跨導(dǎo) | 7 | S | ||
| Qg | 柵極電荷 | 5 | 6.9 | nC | |
| Qgs | 柵源電荷密度 | 1.1 | 2.2 | ||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 2.6 | 2.8 | ||
| Ciss | 輸入電容 | 420 | 582 | pF | |
| Coss | 輸出電容 | 60 | 87 | ||
| Crss | 反向傳輸電容 | 53 | 71 | ||
| td(on) | 開(kāi)啟延遲時(shí)間 | 2 | 4 | ns | |
| tr | 開(kāi)啟上升時(shí)間 | 34.4 | 62 | ||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 13.2 | 26 | ||
| tf | 開(kāi)啟下降時(shí)間 | 4.8 | 9.6 |
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