國(guó)產(chǎn) 60V低壓MOS 大芯片MOS管 8H06 SOP-8 N+N溝道 低壓MOSFET
大芯片MOS管 8H06的用途：
電池保護(hù)
負(fù)載開(kāi)關(guān)
UPS 不間斷電源
大芯片MOS管 8H06的極限值：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：60V
柵極-源極電壓 VGS：±20V
漏極電流-連續(xù)(TA=25℃) ID：8.2A
漏極電流-連續(xù)(TA=70℃) ID：5.8A
漏極電流-脈沖 IDM：16.6A
單脈沖雪崩能量 EAS：28.5mJ
雪崩電流 IAS：22.6A
總耗散功率(TA=25℃) PD：1.5W
存儲(chǔ)溫度 TSTG：-55~+150℃
工作結(jié)溫 TJ：-55~+150℃
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA：85℃/W
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC：36℃/W
大芯片MOS管 8H06的電特性：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TJ=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 60 | 66 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=8A | 23 | 32 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=6A | 28 | 38 | |||
| VGS(th) | 柵極開(kāi)啟電壓 | 1.2 | 1.6 | 2.5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| gfs | 正向跨導(dǎo) | 21 | S | ||
| Qg | 柵極電荷 | 12.6 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 3.2 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 6.3 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 1378 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 86 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 64 | |||
| td(on) | 開(kāi)啟延遲時(shí)間 | 8 | ns | ||
| tr | 開(kāi)啟上升時(shí)間 | 14.2 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 24.4 | |||
| tf | 開(kāi)啟下降時(shí)間 | 4.6 |
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