宇芯微 國產(chǎn)MOS 20P02 QFN2X2-6L -20V/-20A PMOSFET 18mΩ 低內(nèi)阻MOS管
國產(chǎn)MOS 20P02的應(yīng)用領(lǐng)域：
電子煙
負(fù)載開關(guān)
國產(chǎn)MOS 20P02的極限參數(shù)：
(如無特殊說明，TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：-20V
柵極-源極電壓 VGS：±12V
漏極電流-連續(xù) ID：-20A
漏極電流-脈沖 IDM：-60A
總耗散功率 PD：2.4W
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA：52℃/W
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC：6.9℃/W
存儲(chǔ)溫度 TSTG：-55~150℃
工作結(jié)溫 TJ：-55~150℃
國產(chǎn)MOS 20P02的電特性：
(如無特殊說明，Tj=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | -20 | -22 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-4.5V,ID=-10A | 12 | 18 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-2.5V,ID=-8.9A | 18 | 22 | |||
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-1.8V,ID=-4.5A | 24 | 38 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | -0.4 | -0.6 | -1 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| gfs | 正向跨導(dǎo) | -3 | S | ||
| Qg | 柵極電荷 | 21 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 2.5 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 6 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 2138 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 685 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 650 | |||
| td(on) | 開啟延遲時(shí)間 | 30 | ns | ||
| tr | 開啟上升時(shí)間 | 48 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 97 | |||
| tf | 開啟下降時(shí)間 | 65 |
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