低壓場(chǎng)效應(yīng)管 超小封裝PMOS MTP1013C3 SOT-523 523封裝P管
超小封裝PMOS MTP1013C3的產(chǎn)品特點(diǎn)：
BVDSS：-20V
ID：-0.5A
RDS(ON)：0.63Ω(typ)@VGS=-4.5V
超小封裝：SOT-523
超小封裝PMOS MTP1013C3的極限參數(shù)：
如無(wú)特殊說(shuō)明，TJ=25℃
漏極-源極電壓 VDS：-20V
柵極-源極電壓 VGS：±8V
漏極電流-連續(xù) ID：-0.5A
漏極電流-脈沖 IDM：-2A
總耗散功率 PD：280W
存儲(chǔ)溫度 TSTG：-55~+150℃
工作結(jié)溫 TJ：-55~+150℃
超小封裝PMOS MTP1013C3的電特性：
如無(wú)特殊說(shuō)明，TJ=25℃
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | -20 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-4.5V,ID=-500mA | 0.63 | 0.9 | Ω | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-2.5V,ID=-300mA | 1.1 | 1.4 | |||
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-1.8V,ID=-10mA | 1.7 | 2.7 | |||
| VGS(th) | 柵極開(kāi)啟電壓 | -0.5 | -1.2 | V | |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±2 | μA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 1.5 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 0.28 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 0.44 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 59 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 21 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 15 | |||
| td(on) | 開(kāi)啟延遲時(shí)間 | 5 | ns | ||
| tr | 開(kāi)啟上升時(shí)間 | 6 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 42 | |||
| tf | 開(kāi)啟下降時(shí)間 | 14 |
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