低壓MOS 3G03 SOT23-6 30V N+P溝道MOS 常用場(chǎng)效應(yīng)管
N+P溝道MOS 3G03的管腳配置圖：
N+P溝道MOS 3G03的特點(diǎn)：
1、N-CH：
VDS=30V
ID=3.8A
RDS(ON)＜60mΩ@VGS=10V
2、P-CH：
VDS=-30V
ID=-3.2A
RDS(ON)＜120mΩ@VGS=10V
N+P溝道MOS 3G03的極限參數(shù)：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TC=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 | |
| N-CH | P-CH | |||
| VDS | 漏極-源極電壓 | 30 | -30 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±12 | ±12 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù) | 3.8 | -3.2 | A |
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 30 | -30 | |
| PD | 總耗散功率 | 1.15 | 1.15 | W |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 125 | 125 | ℃/W |
| TSTG | 存儲(chǔ)溫度 | -55~150 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | 150 | 150 | |
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