常用MOS型號(hào) 20P01 DFN2X2-6L 低壓PMOSFET 電子煙用場(chǎng)效應(yīng)管
常用MOS型號(hào) 20P01的管腳配置圖：
常用MOS型號(hào) 20P01的產(chǎn)品應(yīng)用：
電子煙
負(fù)載開(kāi)關(guān)
常用MOS型號(hào) 20P01的極限參數(shù)：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：-18V
柵極-源極電壓 VGS：±12V
漏極電流-連續(xù) ID：-20A
漏極電流-脈沖 IDM：-36A
總耗散功率 PD：1.6W
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA：125℃/W
存儲(chǔ)溫度 TSTG：-55~150℃
工作結(jié)溫 TJ：-55~150℃
常用MOS型號(hào) 20P01的電特性：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TJ=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | -12 | -18 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-10V,ID=-6A | 12 | 18 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-4.5V,ID=-5.2A | 14 | 23 | |||
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-2.5V,ID=-4.2A | 20 | 35 | |||
| VGS(th) | 柵極開(kāi)啟電壓 | -0.5 | -0.65 | -1 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 11.5 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 1.5 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 3.2 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 1100 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 390 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 300 | |||
| td(on) | 開(kāi)啟延遲時(shí)間 | 25 | ns | ||
| tr | 開(kāi)啟上升時(shí)間 | 45 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 72 | |||
| tf | 開(kāi)啟下降時(shí)間 | 60 |
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