低壓插件NMOS管 FIR96N08PG TO-220低內(nèi)阻場效應(yīng)管
低壓插件NMOS管 FIR96N08PG極限參數(shù)：
（如無特殊說明，TA=25℃）
| 參數(shù) | 符號(hào) | 數(shù)值 | 單位 |
| 漏極-源極電壓 | VDSS | 80 | V |
| 柵極-源極電壓 | VGS | ±20 | V |
漏極電流-連續(xù) TC=25℃ | ID | 96 | A |
漏極電流-連續(xù) TC=100℃ | 67 | ||
| 漏記電流-脈沖 | IDM | 368 | |
| 單脈沖雪崩能量 | EAS | 625 | mJ |
| 功耗(TC=25℃) | PD | 146 | W |
| 工作結(jié)溫 | TJ | -55~175 | ℃ |
| 存儲(chǔ)溫度范圍 | TSTG | -55~175 |
低壓插件NMOS管 FIR96N08PG電特性：
（如無特殊說明，TA=25℃）
| 參數(shù) | 符號(hào) | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
| 漏極-源極擊穿電壓 | BVDSS | VGS=0V,ID=250μA | 80 | V | ||
| 零柵壓漏極電流 | IDSS | VDS=80V,VGS=0V | 1 | μA | ||
| VDS=80V,VGS=0V | 10 | |||||
| 柵極漏電流 | IGSS | VGS=±20V,VDS=0V | ±100 | nA | ||
| 柵極開啟電壓 | VGS(TH) | VDS=VGS,ID=250μA | 2 | 4 | V | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=40A | 6.2 | 7.2 | Ω | |
| 輸入電容 | Ciss | VDS=25V,VGS=0V,F=1.0MHz | 6396 | pF | ||
| 輸出電容 | Coss | 387 | ||||
| 反向傳輸電容 | Crss | 256 | ||||
| 開啟延遲時(shí)間 | td(on) | VDD=30V,ID=40A,RL=15Ω,VGS=10V,RG=2.5Ω | 23 | nS | ||
| 開啟上升時(shí)間 | tr | 51 | ||||
| 關(guān)斷延遲時(shí)間 | td(off) | 66 | ||||
| 開啟下降時(shí)間 | tf | 23 | ||||
| 柵極總電荷 | Qg | VDD=50V,ID=40A,VGS=10V | 117 | nC | ||
| 柵源電荷密度 | Qgs | 28 | ||||
| 柵漏電和密度 | Qgd | 40 |
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