40V/3A小封裝NMOS管3N04 SOT-23國(guó)產(chǎn)場(chǎng)效應(yīng)管 LED用MOSFET
40V/3A小封裝NMOS管3N04的應(yīng)用領(lǐng)域：
無(wú)線充電
LED
40V/3A小封裝NMOS管3N04的極限值：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TC=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 40 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù)(TA=25℃) | 3 | A |
| 漏極電流-連續(xù)(TA=70℃) | 2.9 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 15 | |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 16.2 | mJ |
| PD | 總耗散功率 TA=25℃ | 1.67 | W |
| TSTG | 存儲(chǔ)溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 | |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 125 | ℃/W |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 30 |
40V/3A小封裝NMOS管3N04的電特性：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TJ=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 40 | 44 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=4A | 28 | 40 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=3A | 35 | 50 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1 | 1.5 | 2.5 | V |
| IDSS | 零柵壓漏極電流 VDS=32V,VGS=0V,TJ=25℃ | 1 | uA | ||
零柵壓漏極電流 VDS=32V,VGS=0V,TJ=55℃ | 5 | ||||
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 5 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 1.54 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 1.84 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 452 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 51 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 38 | |||
| td(on) | 開啟延遲時(shí)間 | 7.8 | ns | ||
| tr | 開啟上升時(shí)間 | 2.1 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 29 | |||
| tf | 開啟下降時(shí)間 | 2.1 |
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