低壓40VMOS場(chǎng)效應(yīng)管68N04 PDFN3X3-8L無(wú)線(xiàn)充電用MOSFET國(guó)產(chǎn)NMOS管
低壓40VMOS場(chǎng)效應(yīng)管68N04的應(yīng)用領(lǐng)域：
無(wú)線(xiàn)充電
無(wú)刷電機(jī)
低壓40VMOS場(chǎng)效應(yīng)管68N04的極限值：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TC=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 40 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù)(TA=25℃) | 68 | A |
| 漏極電流-連續(xù)(TA=70℃) | 33 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 125 | |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 31 | mJ |
| IAS | 雪崩電流 | 31 | A |
| PD | 總耗散功率 TA=25℃ | 1.67 | W |
| TSTG | 存儲(chǔ)溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 | |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 85 | ℃/W |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 30 |
低壓40VMOS場(chǎng)效應(yīng)管68N04的電特性：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TJ=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 40 | 47 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=12A | 6.9 | 8.5 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=10A | 10.5 | 15 | |||
| VGS(th) | 柵極開(kāi)啟電壓 | 1.2 | 1.6 | 2.5 | V |
| IDSS | 零柵壓漏極電流 VDS=32V,VGS=0V,TJ=25℃ | 1 | uA | ||
零柵壓漏極電流 VDS=32V,VGS=0V,TJ=55℃ | 5 | ||||
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 5.8 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 3 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 1.2 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 690 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 193 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 38 | |||
| td(on) | 開(kāi)啟延遲時(shí)間 | 14.3 | ns | ||
| tr | 開(kāi)啟上升時(shí)間 | 5.6 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 20 | |||
| tf | 開(kāi)啟下降時(shí)間 | 11 |
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