電池保護(hù)用MOS管 20P04 SOP-8 PMOS管 低壓國產(chǎn)P溝道MOSFET
電池保護(hù)用MOS管 20P04的主要參數(shù)：
VDS=-40V
ID=-20A
RDS(ON)＜9mΩ@VGS=-10V(Type：7.5mΩ)
電池保護(hù)用MOS管 20P04的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：-40V
柵極-源極電壓 VGS：±20V
漏極電流-連續(xù) ID：-20A
漏極電流-脈沖 IDM：-72A
單脈沖雪崩能量 EAS：125mJ
雪崩電流 IAS：50A
總耗散功率 PD：35W
存儲(chǔ)溫度 TSTG：-55~150℃
工作結(jié)溫 TJ：-55~150℃
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA：85℃/W
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC：3.5℃/W
電池保護(hù)用MOS管 20P04的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | -40 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-10V,ID=-20A | 7.3 | 9 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-4.5V,ID=-15A | 9.3 | 12 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | -1 | -1.6 | -2.5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 110 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 12.5 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 23 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 5295 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 430 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 385 | |||
| td(on) | 開啟延遲時(shí)間 | 16.8 | ns | ||
| tr | 開啟上升時(shí)間 | 10 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 65 | |||
| tf | 開啟下降時(shí)間 | 17 |
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