低壓場(chǎng)效應(yīng)管 150P03 TO-252 P溝道MOS管 國(guó)產(chǎn)替代MOSFET
低壓場(chǎng)效應(yīng)管 150P03的應(yīng)用領(lǐng)域：
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低壓場(chǎng)效應(yīng)管 150P03的極限值：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TC=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | -30 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù) TC=25℃ | -150 | A |
| 漏極電流-連續(xù) TC=100℃ | -125 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | -540 | |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 650 | mJ |
| IAS | 雪崩電流 | -70 | A |
| PD | 總耗散功率 TC=25℃ | 300 | W |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 62.5 | |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 0.47 | ℃/W |
| TSTG | 存儲(chǔ)溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 |
低壓場(chǎng)效應(yīng)管 150P03的電特性：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TJ=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | -30 | -35 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-10V,ID=-20A | 2.3 | 3.2 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-4.5V,ID=-20A | 3 | 4 | |||
| VGS(th) | 柵極開(kāi)啟電壓 | -1.2 | -1.5 | -2.5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 260 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 24 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 62 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 14000 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 1640 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 1080 | |||
| td(on) | 開(kāi)啟延遲時(shí)間 | 28 | ns | ||
| tr | 開(kāi)啟上升時(shí)間 | 26 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 130 | |||
| tf | 開(kāi)啟下降時(shí)間 | 74 |
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