貼片場(chǎng)效應(yīng)管 100N06 TO-252 60VNMOS管 國(guó)產(chǎn)MOSFET
貼片場(chǎng)效應(yīng)管 100N06的主要參數(shù)：
VDS=60V
ID=100A
RDS(ON)＜6mΩ@VGS=10V(Type：4.2mΩ)
封裝：TO-252
貼片場(chǎng)效應(yīng)管 100N06的應(yīng)用領(lǐng)域：
UPS
電池保護(hù)
貼片場(chǎng)效應(yīng)管 100N06的極限值：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TJ=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 60 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù) TC=25℃ | 100 | A |
| 漏極電流-連續(xù) TC=100℃ | 70 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 210 | |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 265 | mJ |
| PD | 總耗散功率 TC=25℃ | 87 | W |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 62 | ℃/W |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 1.44 | |
| TSTG | 存儲(chǔ)溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 |
貼片場(chǎng)效應(yīng)管 100N06的電特性：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TJ=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 60 | 65 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=20A | 4.2 | 6 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=10A | 6.4 | 10 | |||
| VGS(th) | 柵極開(kāi)啟電壓 | 1 | 1.6 | 2.5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 30 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 5.8 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 6.1 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 2136 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 331.5 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 10.6 | |||
| td(on) | 開(kāi)啟延遲時(shí)間 | 22.9 | ns | ||
| tr | 開(kāi)啟上升時(shí)間 | 6.5 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 45.7 | |||
| tf | 開(kāi)啟下降時(shí)間 | 20.4 |
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