MOS管 EMB12N10A TO-252 100V場(chǎng)效應(yīng)管 12N10

• 來源：宇芯電子 更新時(shí)間：2020-09-03 15:43:17點(diǎn)擊：6次

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  MOS管 EMB12N10A TO-252 100V場(chǎng)效應(yīng)管 12N10

  
  

  
  

  100V場(chǎng)效應(yīng)管 EMB12N10A的引腳圖：

  

  
  

  
  

  100V場(chǎng)效應(yīng)管 EMB12N10A的極限值(除非另有規(guī)定，T_A=25℃)：

  參數(shù)	符號(hào)	數(shù)值	單位
  漏極-源極電壓	BVDSS	100	V
  柵極-源極電壓	VGS	±20
  漏極電流-連續(xù) TC=25℃	ID	68	A
  漏極電流-連續(xù) TC=100℃		43
  漏極電流-脈沖	IDM	150
  雪崩電流	IAS	18
  雪崩能量	EAS	16.2	mJ
  重復(fù)雪崩能量	EAR	8.1
  功耗 TC=25℃	PD	89	W
  功耗 TC=100℃		35
  結(jié)溫和存儲(chǔ)溫度	Tj，Tstg	-55~150	℃

  
  

  
  

  100V場(chǎng)效應(yīng)管 EMB12N10A的電特性(除非另有規(guī)定，T_J=25℃)：

  參數(shù)	符號(hào)	最小值	典型值	最大值	單位
  漏極-源極擊穿電壓	V(BR)DSS	100			V
  柵極開啟電壓	VGS(th)	1	2	3
  柵極漏電流 VDS=0V,VGS=±12V	IGSS			±100	nA
  靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=12A	RDS(ON)		9.5	12	mΩ
  靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=10A			11.5	15
  正向跨導(dǎo)	gfs		45		S
  輸入電容	Ciss		2130		pF
  輸出電容	Coss		336
  反向傳輸電容	Crss		29
  柵源電荷密度	Qgs		10		nC
  柵漏電荷密度	Qgd		8.2
  開啟延遲時(shí)間	td(on)		6		nS
  開啟上升時(shí)間	tr		10
  關(guān)斷延遲時(shí)間	td(off)		8
  開啟下降時(shí)間	tf		25

  
  

  
  

  100V場(chǎng)效應(yīng)管 EMB12N10A的封裝外形尺寸：

  

  
  

  
  

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