MOS管開(kāi)關(guān)電路上下拉電阻的作用
在MOS管開(kāi)關(guān)電路設(shè)計(jì)的時(shí)候我們常常在NMOS上加一個(gè)下拉電阻,在PMOS上加一個(gè)上拉電阻

這個(gè)上拉電阻和下拉電阻主要有以下幾個(gè)作用
1.上電時(shí)給MOS管的柵極一個(gè)確定的電平,防止上電時(shí)GPIO為高阻狀態(tài)時(shí)MOS柵極電平不確定受到干擾。
因?yàn)橛行〨PIO驅(qū)動(dòng)MOS管時(shí)有些時(shí)間可以處于一個(gè)高阻的狀態(tài),這樣MOS柵極的電平就是未知的,可能是高電平,也可能是低電平,很容易受外界干擾。

而有上下拉電阻存在時(shí),當(dāng)GPIO為高阻態(tài)時(shí),上下拉電阻能給MOS管一個(gè)確定的電平,從而使MOS管確定在一個(gè)關(guān)閉的狀態(tài)

2.斷電時(shí),如果MOS是導(dǎo)通的狀態(tài),GS間的寄生電容沒(méi)有放電路徑,電阻給Cgs一個(gè)放電路徑,使MOS管能快速的關(guān)閉。
如果沒(méi)有上下拉電阻,斷電后,MOS管由于結(jié)電容的存在,可能在很長(zhǎng)一段時(shí)間還是導(dǎo)通的狀態(tài),出現(xiàn)關(guān)不斷的情況

而有上下拉電阻的話,結(jié)電容可以通過(guò)上下拉電阻快速放電,從而快速關(guān)閉MOS管

3.防止靜電擊穿。
MOS管是電壓驅(qū)動(dòng)型器件,由于柵極結(jié)電容的存在,很容易積累靜電電荷,造成損壞

上下拉電阻一般在10K左右
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