國產(chǎn)低壓MOS管 100N03 TO-252 30VNMOS管100N03

• 來源：宇芯電子 更新時(shí)間：2025-09-11 14:11:00點(diǎn)擊：6次

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  國產(chǎn)低壓MOS管 100N03 TO-252 30VNMOS管100N03

  
  

  
  

  國產(chǎn)低壓MOS管 100N03的產(chǎn)品應(yīng)用：

  • 電池保護(hù)

  • 負(fù)載開關(guān)

  • 不間斷電源

  
  

  
  

  國產(chǎn)低壓MOS管 100N03的極限值：

  (如無特殊說明，T_C=25℃)

  符號(hào)	參數(shù)	數(shù)值	單位
  VDS	漏極-源極電壓	30	V
  VGS	柵極-源極電壓	±20
  ID	漏極電流-連續(xù)(TC=25℃)	100	A
  	漏極電流-連續(xù)(TC=100℃)	59
  IDM	漏極電流-脈沖	360
  EAS	單脈沖雪崩能量	95	mJ
  IAS	雪崩電流	19.5	A
  PD	總耗散功率 TC=25℃	68	W
  TSTG	存儲(chǔ)溫度	-55~175	℃
  TJ	工作結(jié)溫	-55~175
  RθJA	結(jié)到環(huán)境的熱阻	62	℃/W
  RθJC	結(jié)到管殼的熱阻	2.2

  
  

  
  

  國產(chǎn)低壓MOS管 100N03的電特性：

  (如無特殊說明，T_J=25℃)

  符號(hào)	參數(shù)	MIN值	TYP值	MAX值	單位
  BVDSS	漏極-源極擊穿電壓	30	32		V
  RDS(ON)	靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=30A		3.6	5.5	mΩ
  	靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=20A		6.7	9.5
  VGS(th)	柵極開啟電壓	1	1.6	2.5	V
  IDSS	零柵壓漏極電流 VDS=30V,VGS=0V			1	μA
  IGSS	柵極漏電流			±100	nA
  Qg	柵極電荷		45		nC
  Qgs	柵源電荷密度		3
  Qgd	柵漏電荷密度		15
  Ciss	輸入電容		2100		pF
  Coss	輸出電容		326
  Crss	反向傳輸電容		282
  td(on)	開啟延遲時(shí)間		21		ns
  tr	開啟上升時(shí)間		32
  td(off)	關(guān)斷延遲時(shí)間		59
  tf	開啟下降時(shí)間		34

  
  

  
  

  國產(chǎn)低壓MOS管 100N03的封裝尺寸圖：

  

  
  

  
  

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